武汉敏芯申请光电二极管的制备方法和光电二极管专利，可反向减小光电二极管的芯片尺寸

金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，武汉敏芯半导体股份有限公司申请一项名为“光电二极管的制备方法和光电二极管”的专利，公开号CN 119108455 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请提出了一种光电二极管的制备方法和光电二极管，该方法包括：将P欧姆接触层刻蚀为P欧姆接触块；在当前表层生长扩散阻挡膜；在扩散窗口层形成扩散孔；执行Zn扩散处理，使第一区域形成高掺杂P+‑INP的扩散区；在当前表层生长抗反射膜；对P欧姆接触块以及P欧姆接触块临近的部分扩散区进行抗反射膜腐蚀处理，得到P窗口，P窗口的形状为块状；在P窗口处引出P电极，并在衬底层的外表面设置N电极，P电极的形状为块状，P电极所在的第二区域覆盖P窗口所在位置第二区域与光电二极管的光敏面所覆盖的第三区域非环绕式相邻。本技术方案可将更多的面积释放给光敏面，若光敏面面积一定则可反向减小光电二极管的芯片尺寸。

本文源自：金融界

作者：情报员