杭州谱析光晶申请集成异质结二极管的平面栅碳化硅 MOSFET 器件专利，能够降低栅介质中的电场强度

金融界 2024 年 11 月 4 日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“集成异质结二极管的平面栅碳化硅 MOSFET 器件”的专利，公开号 CN 118888588 A，申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示，本发明公开了集成异质结二极管的平面栅碳化硅 MOSFET 器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极电极，漏极电极的上端设置有导电衬底层，导电衬底层的上端设置有导电外延层，导电外延层的上端设置有特征沟槽，特征沟槽的下端开有两组磁场缓冲槽，两组磁场缓冲槽上均设置有两组磁场缓冲槽，导电外延层与特征沟槽之间共同设置有两个第二沟槽，导电外延层的上端两侧均设置有导电阱区该集成异质结二极管的平面栅碳化硅 MOSFET 器件能够降低栅介质中的电场强度，有效保护栅介质不被击穿，实现较低的导通压降和开关损耗，避免双极退化问题，以及降低制作成本的同时，能够增加器件光刻的精准度。

本文源自：金融界

作者：情报员