锐立平芯申请半导体测试结构及其测试方法专利，能快速有效地发现半导体结构中的缺陷

金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，锐立平芯微电子（广州）有限责任公司申请一项名为“半导体测试结构及其测试方法”的专利，公开号CN 118841400 A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体测试结构及其测试方法，包括第一鳍形有源区；第二鳍形有源区，位于第一鳍形有源区的一侧，第一互连结构，与第一鳍形有源区相接触；第二互连结构，位于第一鳍形有源区邻近第一互连结构的一端，与第二鳍形有源区相接触；第三互连结构，与第二鳍形有源区相接触；第一栅极，位于第一鳍形有源区的一端，且位于第一互连结构与第二互连结构之间，并横跨第二鳍形有源区；第二栅极，位于第二互连结构与第三互连结构之间，且横跨第二鳍形有源区。本申请中的半导体测试结构而能够通过对半导体测试结构施加测试电压，快速有效地发现半导体结构中各种布局图形引起的缺陷。

本文源自：金融界

作者：情报员