华虹半导体（无锡）申请晶圆测试缺陷芯片标记专利，提升芯片缺陷标记效率

金融界 2024 年 9 月 3 日消息，天眼查知识产权信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“晶圆测试缺陷芯片标记方法、装置和存储介质“，公开号 CN202410635920.4，申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种晶圆测试缺陷芯片标记方法、装置和存储介质。方法包括：对晶片进行晶圆测试；获取第一缺陷图案 Map 图；基于第一缺陷图案 Map 图判断第一缺陷图案是否为弧状线条缺陷；确定第一缺陷图案为弧状线条缺陷时，基于第一对应关系拟合生成第二缺陷图案函数；拓展第一方向坐标 A 集合为第一方向坐标 B 集合；将第一方向坐标 B 集合中的各个第一方向坐标 B 值带入第二缺陷图案函数中分别计算得到对应的第二方向坐标 B 值并取整得到第二方向坐标 C 值；生成第二坐标信息，确定第二坐标信息对应的所有缺陷芯片形成第二缺陷图案；对第二缺陷图案上各个缺陷芯片和缺陷芯片周围的芯片进行缺陷标记。

本文源自：金融界

作者：情报员