晶合集成申请芯片上钝化层裂缝的检测方法及芯片良率的确定方法专利，能够检测出钝化层裂缝贯穿氮化硅层但未贯穿氧化硅层的这种缺陷。

金融界2024年7月3日消息，天眼查知识产权信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“芯片上钝化层裂缝的检测方法及芯片良率的确定方法“，公开号CN202410670976.3，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本申请公开芯片上钝化层裂缝的检测方法及芯片良率的确定方法，钝化层包括氮化硅层和与氮化硅层接触的氧化硅层，氧化硅层还接触芯片的金属层，检测方法包括：将芯片浸入加热的氢氧化钾溶液内，以使加热的氢氧化钾溶液在通过氮化硅层的情况下腐蚀氧化硅层而进入金属层；将芯片置于显微镜下观察金属层的颜色以确定钝化层是否有裂缝。本申请能够检测出钝化层裂缝贯穿氮化硅层但未贯穿氧化硅层的这种缺陷。

本文源自：金融界

作者：情报员