豪威科技申请图像传感器及其形成方法专利，有效防止相邻像素单元之间的电学和光学串扰

金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，豪威科技（上海）有限公司申请一项名为“图像传感器及其形成方法”的专利，公开号 CN 118841424 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明提供一种图像传感器及其形成方法，包括：提供像素晶圆，在衬底中形成隔离单元，深沟槽中填充第一氧化层，且浅沟槽中填充第二多晶硅层；或者，深沟槽中填充第一多晶硅层，且浅沟槽中填充第二氧化层；形成深沟槽后的像素晶圆在高温下退火；将像素晶圆与逻辑晶圆键合；减薄后去除位于深沟槽中的填充物；高K介质层填充深沟槽，形成深沟槽隔离。前段工艺(键合前)将像素晶圆在高温下退火，修复刻蚀损伤，减少白像素。高K介质层键合后形成，避免被前段工艺高温损伤。高K介质层与衬底折射率相差大，深沟槽隔离能在相邻像素单元之间起到很好的光学和电学隔离作用，有效防止相邻像素单元之间的电学和光学串扰，提高了满阱容量。

本文源自：金融界

作者：情报员