讯创申请一种高金属致密度的LMC生产工艺方法专利，在提高基材膜层沉积速率的同时降低质量问题

金融界2024年10月19日消息，国家知识产权局信息显示，讯创（天津）电子有限公司申请一项名为“一种高金属致密度的LMC生产工艺方法”的专利，公开号CN 118754456 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本申请涉及金属化镀膜技术领域，具体涉及一种高金属致密度的LMC生产工艺方法。该方法包括：对于玻璃基材通过超声波清洗步骤、表面预处理步骤、金属化步骤后获取镀膜后的玻璃基材；获取镀膜效率以及镀膜表面图像；通过对镀膜表面图像每个连通域的所有像素点和边缘像素点的分析获取连通域的靶材沉积特征值；通过对所有连通域的特征值将连通域分类，获取特征值大的一类的靶材沉积颗粒分布系数；根据靶材沉积颗粒分布系数和镀膜的效率获取玻璃基材的最佳工作电流，基于最佳工作电流制造LMC膜。本申请在提高基材的膜层沉积速率的同时降低基材的膜层表面出现大颗粒的靶材沉积颗粒区域的质量问题。

本文源自：金融界

作者：情报员