深圳天狼芯半导体申请半导体器件及其制备方法专利，改善器件的反向恢复特性

金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，深圳天狼芯半导体有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN 119170640 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括衬底、第一半导体层、第二半导体层和叠层。通过在第一半导体层和第二半导体层的基础上设置叠层以形成次级场效应管，并且将叠层中的栅导电层设置成屏蔽栅，由于叠层中的第一栅导电层连接栅极，并且叠层的顶部、第二栅导电层以及叠层中的第二型半导体层均连接源极，在器件处于反向流通状态时，作用在源极的压降使次级场效应管导通，从而使反向导通过程中由电子‑空穴的双极性导通变为电子的单极性导通，以此抑制空穴的注入，改善器件的反向恢复特性，并且第一型半导体柱和第二型半导体柱之间可以形成耗尽层相互耗尽，进而可以提高器件的击穿电压。

本文源自：金融界

作者：情报员