第三代半导体来电 利机发威

利机月合并营收表现

随着5G基础建设及电动车快速发展，支援高频高速且能在高温环境中运作的氮化镓（GaN）及碳化矽（SiC）等第三代宽能隙半导体进入成长爆发期，然而传统晶片焊接技术出现热阻抗问题，热阻较低的烧结银技术成为最佳解法，利机（3444）奈米烧结银胶获国际大厂认证及采用，下半年将放量出货。

利机因为面板驱动IC相关产品出货下滑，5月合并营收月减22.5％达0.91亿元，较去年同期减少15.0％，累计前五个月合并营收5.03亿元，较去年同期成长0.7％。利机表示，5月营收虽然下滑，但因佣金模式占比提升，实质获利不受影响，今年4月及5月获利合计已超过去年第二季单季获利总额。

利机表示，属佣金交易模式的BT载板相关，持续受惠高效能运算（HPC）和网通应用市况增温，今年以来每月业绩贡献逐月垫高，成长态势可维持全年，对整体毛利率显著提升。封测相关及面板驱动IC相关产品5月业绩表现略为下滑，不过包括封装用銲针（Capillary）及均热片（Heat Sink）仍有成长，若封测厂产能利用率持续满载，利机拉货动能亦可同步向上。

随着GaN及SiC在电动车电力系统、太阳能逆变器、5G基础建设、电源快充、低轨道卫星的应用愈趋普及，在高频、高速、高温的运作情况下，第三代半导体因晶片尺寸较小，散热难题成为关键。特别是在大功率的应用中，从晶片到散热片要传输庞大功耗，热阻抗较低的烧结银技术因为能显著降低结温上升，从而增加了可靠性。

利机表示，透过关键奈米银材料自制，独特的树脂配方能力，及烧结机制与介面作用的科学基础研究等核心研发技术，利机已开发出低至175°C的较低烧结温度、高达200 W/mK更高热导率、且可加工性好及操作性佳、对各种表面处理基材具有高附着力的烧结银系列产品，涵盖了功率半导体封装领域的所有应用。

利机表示，奈米烧结银胶可应用在高功率及高散热需求的半导体元件，亦作为GaN或SiC等第三代半导体封装主要固晶材料，目前正与中国、美国、欧洲等客户合作认证中，积极拓展海外市场，可望打入全球半导体关键封装材料供应链。