英诺赛科：抢占行业技术高地 前瞻性布局增长势头迅猛

近日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（简称“英诺赛科”）公告，进一步委任中信里昂证券有限公司、华泰金融控股(香港)有限公司、富瑞金融集团香港有限公司为其整体协调人。

6月12日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司正式向香港联交所提交A1招股书，计划在港股上市，此次上市由中金公司与招银国际共同担任联席保荐人。

业内人士表示，作为全球氮化镓功率半导体的领航者，英诺赛科凭借其在技术上的领先优势和产能上的规模优势，能够快速响应市场变化，满足不断增长的市场需求。此次赴港上市，公司有望借力国际资本市场，进一步巩固其行业领先地位。

乘氮化镓发展东风 业绩增长势头迅猛

放眼全球，第三代半导体尤其是氮化镓市场正呈现出广阔的发展前景。据沙利文预测，2023年是氮化镓产业开启指数级增长的元年，后续有望以98.5%的复合年增长率加速增长，市场规模由2024年的人民币32.28亿元增长至2028年的人民币501.42亿元。

面对氮化镓市场的迅猛增长势头，英诺赛科始终走在全球功率半导体革命的前沿，致力于推动氮化镓技术的创新与应用。作为行业先锋，英诺赛科近年的营收规模持续伴随行业快速发展。

招股书显示，截至2023年12月31日，以折算氮化镓分立器件计，公司的累计出货量超过5亿颗，是全球氮化镓出货量的领军企业。在营收方面，英诺赛科的年度收入从2021年的6821.5万元人民币跃升至2023年的5.9亿元人民币，收入复合年增长率高达194.8%，其迅猛的增长态势展现出公司强大的市场竞争力。

氮化镓技术全球领先 IDM模式凸显行业竞争力

作为全球领先的第三代半导体企业，英诺赛科专注于硅基氮化镓外延与器件的研发与制造，其产品覆盖消费电子、可再生能源、工业应用、汽车电子及数据中心等多个领域，彰显出氮化镓功率半导体行业巨擘的实力与雄心。

值得一提的是，英诺赛科拥有业界领先的氮化镓核心技术，以及强大的研发团队支撑。截至2023年底，公司拥有397名研发专家，其中不乏半导体行业翘楚，共同推动着技术与材料创新的边界。在雄厚的研发实力下，公司在全球范围内持有约700项专利及专利申请，覆盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键环节，构筑起坚实的技术壁垒。

英诺赛科在全球率先实现8英寸硅基氮化镓晶圆的量产，这一突破性进展确立了公司在8英寸硅基氮化镓晶圆技术上的全球领先地位。公司成功实现每月10,000片晶圆的生产瓶颈，晶圆良率超越95%，实现了规模化商业生产。此外，需要指出的是，英诺赛科是全球少有的全电压谱系硅基氮化镓半导体产品量产IDM公司。业内人士指出，IDM半导体企业历来是资产密集型行业，前期资本开支巨大，盈利周期较Fabless企业更长。但IDM企业一旦形成稳定的竞争格局，其未来发展空间不可小视。

通过对氮化镓技术的持续优化，英诺赛科的产品在频率、功率密度和热管理上展现出卓越性能，超越传统硅基方案。IDM模式的优势在于成本的有效管控，使英诺赛科能够以更具竞争力的价格策略立足市场，形成难以复制的竞争优势。

依托于其IDM模式的优势、坚实的技术基础及大规模产业化的商业能力，英诺赛科持续引领着氮化镓功率半导体领域的创新与发展。公司此次向香港证券交易所递交上市申请，是其发展旅程中的一个重要里程碑。分析人士指出，借助国际资本市场的力量，英诺赛科有望加速技术创新和业务拓展的步伐，提升品牌影响力和市场竞争力，进一步巩固其作为全球龙头的地位，在新一轮全球化产业竞争中取得更大成就。