英特尔申请在单元边界处具有电介质脊的叉片器件专利，提供更大设计灵活性

金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“在单元边界处具有电介质脊的叉片器件”的专利，公开号CN 119181703 A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本文提供了用于形成具有包括叉片器件的单元的半导体器件的技术，所述叉片器件在叉片电介质脊的两侧上具有相同掺杂剂类型的源极或漏极区域。所述技术可用于任何数量的集成电路应用中，且对于逻辑和存储器单元尤其有用。叉片器件可以包括在电介质脊的两侧上的所有p型源极或漏极区域或者在电介质脊的两侧上的所有n型源极或漏极区域。使用具有相同掺杂剂类型的叉片器件允许叉片晶体管和全环栅(GAA)晶体管两者被包括在同一单元内。单元边界也可以沿着叉片电介质脊而不是沿着栅极切口放置，这在设计多高度单元时提供更大的灵活性。

本文源自：金融界

作者：情报员