AI需求推动叠加资本支出不足 存储产业链有望迎“超级周期”

摩根士丹利指出，由于近年来DRAM厂新增产能有限，叠加HBM消耗大量产能，DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”，明年标准型DRAM供应缺口高达23%，将比HBM更缺，为近年罕见，价格将一路上涨。大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估，由原预期8%和10%，上调至13%和20%，调升幅度高达六成以上。

人工智能需求推动，叠加过去两年资本支出不足，内存市场正迎来前所未有的“超级周期”。山西证券表示，价格上涨趋势明确，存储进入新一轮上行周期，把握行业周期反转机会。未来随着存储价格持续涨价带来的营业利润率改善，存储龙头厂商有望迎来业绩与估值的戴维斯双击，行业存在较大的反弹空间。银河证券研报指出，存储芯片赛道属于高成长强周期行业，当下时点是存储芯片赛道下一轮周期的新起点。在AI、国产化、需求复苏叠加数字经济对存力的需求不断抬升的背景下，看好存储产业链的投资机遇。

据财联社主题库显示，相关上市公司中：

兆易创新产品包括NorFlash、SLCNANDFlash、DRAM、MCU等系列产品。公司SLCNAND价格预计2024年呈温和上涨趋势。

澜起科技是全球三家主流DDR5内存接口芯片供应商之一，行业地位领先。2024年1月，公司推出DDR5第四子代RCD芯片，支持数据速率为7200MT/S，并已将该产品工程样片送样给主要内存厂商。