《半导体》创见推新DDR5记忆体模组 力助3大新世代

新一代DDR5 4800记忆体模组拥有超高频宽、低功耗优势，相比DDR4 3200增进50%传输效能；工作电压则从1.2V下降至1.1V，提高整体系统能源效率。此外，DDR5配置电源管理晶片(Power Management IC)，直接单独在DIMM上执行电源控制，使记忆体模组获得更加稳定的电源，并具备较佳的讯号完整性，进而优化能源效率。且内建On-die ECC纠错机制大幅精进资料正确性并强化系统可靠度，有效提升运算密集型应用的效能表现。

针对企业严苛的应用环境需求，创见工业级DDR5 ECC Long-DIMM、ECC SO-DIMM以及Registered Long-DIMM采用PCB金手指和抗硫化技术，加强记忆体对抗环境冲击的防御力，提升讯号传输的可靠度，有效支援资料量稳定成长的5G应用，适合全天候运作的伺服器，为企业布局智慧物联网及边缘运算奠定稳固基石；在电子消费领域，DDR5超高频宽和双独立传输通道架构优势，可大幅提高资料处理效率与效能，将引领专业影音内容工作者和电竞玩家突破划时代的极速效能。

创见全系列DDR5记忆体模组符合JEDEC国际标准，除推出Unbuffered Long-DIMM和Unbuffered SO-DIMM外，工业级产品线还涵盖ECC Long-DIMM、ECC SO-DIMM以及Registered Long-DIMM规格，以因应多元高阶应用需求。全产品线已进入量产阶段，并积极进行平台相容性测试。创见专业研发团队拥有多年的丰富经验并落实严谨测试，推出新一代DDR5记忆体模组，在具备长期稳定的供货能力下，将协助企业积极扩展高效能运算市场。