《半导体》宇瞻首创完全无铅记忆体 助升DDR5渗透率

宇瞻产品中心资深处长尹华君表示，宇瞻研发团队积极寻求完全无铅技术解决方案，成功克服目前仍依赖RoHS 7(c)-I铅豁免条款的电阻元件含铅问题。完全无铅记忆体模组的推出，标志着宇瞻记忆体产品已实现完全符合欧盟RoHS标准的最后一哩路。对于医疗保健、数据中心、网路电信、AI及边缘运算伺服器等产业来说，提前导入完全无铅记忆体模组尤其重要。这不仅可避免欧盟RoHS豁免期限到期时，必须重新验证产品所产生的额外人力、时间及费用成本，同时也可降低订单损失风险。

AI应用正逐渐从AI伺服器扩展至AI电脑与边缘AI装置，随着渗漏率的提升，预期未来DDR5的应用将更加广泛。宇瞻完全无铅DDR5记忆体模组支援UDIMM、SODIMM、RDIMM、ECC UDIMM以及ECC SODIMM等多种规格，并且不断扩展更多的产品线，包括VLP(矮版)、Wide Temp.(宽温)与Anti-Sulfuration(抗硫化)等，确保产品性能和可靠性能够因应各种环境和应用场景，满足日益多元的需求。