《半导体》创见工业级DDR5记忆体模组 出击高阶工业应用

创见最新DDR5记忆体模组速度最高提升至5600MT/s，拥有超高频宽、低功耗优势，相比DDR4 3200传输效能大幅增长，提升巨量资料的稳定传输速度。两组完全独立的32位元子通道传输架构，缩短资料载入时间，减少系统存取延迟。有别于DDR4世代，DDR5工作电压降低至1.1V，并搭载电源管理IC(PMIC)，更能有效控制系统电源负载，电源转换效率提高，提升讯号完整性，进而优化系统能源效率。

为实现更高的工作效能，DDR5记忆体模组在容量、资料密度方面皆有所突破，但由于制程微缩技术，衍伸出较高的资料错误风险，因此，内建On-Die ECC资料纠错机制，能够侦测、修正储存单位中的位元错误，有效提高资料正确性，改善讯号容错率，强化高阶应用在可靠度、可用性与可维护性等方面的能力。

创见最新推出的工业级DDR5 5600记忆体模组，全产品线包含Unbuffered Long-DIMM与SO-DIMM、ECC Long-DIMM与SO-DIMM以及Registered Long-DIMM等类型，广泛相容于企业端多元平台与装置。