比中芯7奈米更猛？陆巨头爆超狂技术…惊见3奈米 拜登脸绿

长鑫储存发表论文展示GAA技术，适用3奈米晶片。（示意图/达志影像/shutterstock）

中国大陆记忆体晶片大厂长鑫储存（CXMT）发表一篇论文，环绕式闸极结构（GAA）技术，适用于先进3奈米晶片，在拜登政府强力制裁下，陆厂再度取得重大突破。此前华为于8月底推出5G新手机，搭载麒麟9000S处理器，由中芯国际7奈米制程生产，同样突围美国科技封锁。

南华早报报导，长鑫储存本周于旧金山举行IEEE国际电子元件年会（IEDM）上发表一篇论文，展示GAA技术，可用于打造先进3奈米晶片。长鑫储存虽未提供下一代记忆体晶片生产证据，但也引起产业析师关注，因为此类晶片设计通常涉及受美国出口管制技术。

台湾华邦电子储存晶片专家Frederick Chen表示，长鑫存储的进展证据「令人印象深刻」，代表这家公司离最先进的研究和技术不远了，更重要的是，目前三星也在做相同的产品研发。

长鑫存储发表声明称，这篇论文描述DRAM结构和4F2设计可行性相关的基础研究，与长鑫存储当前的生产技术无关，暗示这项设计样张，还未成为符合市场需求的产品。

长鑫存储专家表示，任何有关该公司违反美国制裁或出口管制的指控，完全是错误的，「我们坚信国际电子元件年会的理念是秉持促进产业的创新和发展。」

半导体研究公司SemiAnalysis首席分析师Dylan Patel在X（原推特）平台上表示，长鑫储存的论文称，在最先进的晶体管架构方面取得进展，意味着突破美国制裁。

两周前，长鑫存储发表，大陆首款低功耗双倍资料速率5（LPDDR5）DRAM晶片，并已成功生产，再度拉进与韩国三星和SK海力士等一线厂商的差距。

美国今年10月扩大对中国大陆半导体设备出口管制措施，包括曝光、蚀刻、沉积、注入和清洁等技术，进一步打压大陆晶片制造能力。

长鑫储存成立于2016年，是大陆在全球DRAM市场的最大希望，目标为追赶韩国记忆体巨头三星、SK海力士，以及美国美光科技。