惨输台积电！三星3奈米爆1致命要害 找美大厂救命

三星联手美企，拚3奈米良率超车台积电。（示意图/达志影像/shutterstock）

近几年，三星在先进制程技术一直落后台积电，因为良率陷入瓶颈而无法有所突破。韩媒Naver报导，三星已与美国公司 Silicon Frontline Technology 扩大合作，提高半导体晶片在制造过程中的良率，希望一举超车劲敌台积电。

报导指出，三星先进制程良率低迷，5奈米、4奈米节点的良率问题迟迟无法改善，而3奈米推出以来情况变得更糟，据传三星3奈米良率不超过 20%，量产进度再度踢铁板，因此争取主流晶片厂商订单，尚未取得重大进展。

三星代工晶片频传过热问题，高通旗舰晶片「Snapdragon 8 Gen 1」和「Snapdragon 888」表现翻车，所以高通决定跟三星说掰掰，新款 「Snapdragon 8 Gen 2」晶片改由台积电独家生产，辉达 RTX 4000 系列 GPU 也采用台积电 5 奈米制程量产。三星失去美国大厂订单，正在努力寻求解决这些问题的方案。

美国公司Silicon Frontline在半导体设计和验证解决方面，拥有专业经验，能提供晶片资格评估和静电放电（ESD）预防技术。ESD是导致半导体晶片缺陷主要原因之一，由制造过程中设备与金属之间的摩擦引起。

报导提到，三星在晶片设计和生产过程中与Silicon Frontline长期合作，并取得了令人满意的结果。

如果三星设法提高未来晶片制造工艺的性能奏效，结合其3奈米GAA架构，三星在高阶晶片代工可望与台积电再次竞逐，并抢下超微、辉达和高通等大客户订单。高通已提到，双代工厂采购为战略之一，意味着可能会与三星重新合作。

BBC先前报导，台湾南台科技大学朱岳中助理教授表示，这些年，三星在先进制程技术企图弯道超车台积电，拚博谁的制程比较快，其实意义不大，双方技术竞逐最大关键只有「良率」，因为良率等同厂商的成本，与产品的效能有关，这是产品能不能销售出去的重点。