传高通S835为八核心 三星Galaxy S8于MWC首发亮相
三星与高通共同宣布携手推出 Qualcomm Snapdragon 835处理器，然而官方公告除了效能提升与采用10奈米FinFET制程外，并没有更进一步的规格讯息，不过从中国地区泄露的一份文件当中，说明着该款处理器采用的核心数又回到八核心，而不是S820的四核。
根据这份文件来看，S835型号为MSM8998，采用的是Kyro 200的 4+4 核心处理架构，而不是延续高通S820所建立的四核心架构标准，并且支援四通道的LPDDR4X-1866存取，并且支援最新储存设备标准UFS 2.1，这个标准主要提供的是安全写入保护、装置使用寿命等功能。
资料还显示该款处理器采用LTE X16数据晶片，支援LTE Cat.16标准，最高理论下载速度可达1Gbps。GPU 为 Adreno 540。另外，这份资料也透露了高通S660处理器采用三星14nm FinFET LPP制程，Adreno512 GPU，X10数据晶片等规格细节。
目前已经确认搭载Qualcomm Snapdragon 835处理器的设备，将于 2017 年初上市，然而该份文件提到，三星旗下 Galaxy S8 将可能是搭载该处理器的第一支手机，预期将于2017年在西班牙巴塞隆纳举办的世界移动通讯大会(MWC 2017)期间亮相。
※资料来源：SAMMobile、gizmochina