DUV光刻机从7nm再冲5nm？浸润光刻之父：行！但成本极高

台积电前研发副总林本坚表示，依靠DUV光刻机可以继续将制程工艺从7nm再推向5nm，但是代价非常高昂。（图／ASML）

近日有着「浸润式光刻之父」之称的台积电前研发副总林本坚（Burn Lin）受访时表示，依靠荷兰艾斯摩（ASML）的DUV光刻机，可以继续将制程工艺从7nm再推向5nm，但是需要付出非常高昂的代价。

据《芯智讯》报导说，由于美日荷对华半导体设备的限制，使得中国不仅难以获得可以先进制程的半导体设备，更为先进的EUV光刻机也无法获得。这使得中国继续将制程工艺推进到5nm的过程中，会面临技术与设备困境。

林本坚表示，现有的DUV光刻机制造出5nm晶片依然可行，但是至少要进行4重曝光。它的缺点是耗时且价格昂贵，还会影响整体良率。（图／芯智讯）

不过，林本坚表示，依靠现有的DUV光刻机（浸润式）制造出5nm晶片依然是可行的，但是至少需要进行4重曝光。不幸的是，这种工艺的缺点是不仅耗时，而且价格昂贵，还会影响整体良率。

他表示，特别是在使用 DUV 光刻机时，在多次曝光期间需要精确对准，这可能需要较多时间，并且有可能发生未对准的情况，从而导致产量降低，或是制造这些晶圆的时间大幅增加。

林本坚表示，浸没式DUV光刻技术最高可以实现6重光刻模式，可以实现更先进的工艺，但问题同样来自上述相关缺点。