海炬申请基于永磁偏置的芯片巨量转移用自解耦电磁装置及应用专利，通过流体场和磁场相结合的方式实现Mini/Micro LED芯片快速大批量精准转移

金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，北京海炬科技有限公司申请一项名为“一种基于永磁偏置的芯片巨量转移用自解耦电磁装置及应用”的专利，公开号CN 119108176 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于永磁偏置的芯片巨量转移用自解耦电磁装置及其应用，涉及芯片巨量转移技术领域，包括线圈支撑座、磁针固定底座、磁针支撑罩、电磁支撑罩，线圈支撑座的顶面中央设置有磁针容纳槽，磁针固定底座设置于磁针容纳槽内，磁针固定底座的的上方设置有铝合金底层，磁针固定底座上设置有若干永磁磁针，永磁磁针的顶端向上穿过铝合金底层，磁针容纳槽的周围设置有磁针支撑罩，磁针支撑罩的外围设置有电磁支撑罩，磁针支撑罩与电磁支撑罩之间放置通电螺线圈。本发明采用上述结构和步骤的一种基于永磁偏置的芯片巨量转移用自解耦电磁装置及其应用，通过流体场和磁场相结合的方式实现Mini/Micro LED芯片快速大批量精准转移。

本文源自：金融界

作者：情报员