浙江驰拓科技申请合成反铁磁结构、MTJ和MRAM专利，解决现有技术中SAF的交换耦合磁场弱，影响PMA的问题

金融界2024年10月30日消息，国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“合成反铁磁结构、MTJ和MRAM”的专利，公开号CN 118829347 A，申请日期为2023年4月。

专利摘要显示，本申请提供了一种合成反铁磁结构、MTJ和MRAM，该合成反铁磁结构包括：第一铁磁层；第一隔离层，位于第一铁磁层的表面上；第二铁磁层，位于第一隔离层的远离第一铁磁层的表面上，第一铁磁层以及第二铁磁层用于反铁磁耦合，第一铁磁层以及第二铁磁层中至少之一包括多层膜结构，多层膜结构为[Co/X/Y]n，其中，X为第一金属膜层，Y为第二金属膜层，n为不小于1的整数，第一金属膜层用于在环境温度小于或者等于400℃的情况下，阻挡第二金属膜层的原子扩散。本申请解决了现有技术中SAF的交换耦合磁场弱，影响PMA的问题。

本文源自：金融界

作者：情报员