韩国SK海力士获4.5亿美元补助 印第安纳州建新厂

韩国SK海力士企业标志。（图／路透社）

美国商务部6日宣布，韩国电池巨头SK海力士将获得联邦政府最高4.5亿美元（约新台币147.5亿）的补助，用于建设该集团设于美国印第安纳州的先进晶片封装厂。

商务部表示，SK海力士和商务部已经签署不具约束力的初步备忘录（PMT），文中提到美方将对SK海力士发放最高4.5亿美元的联邦政府补贴，用于在印第安纳州兴建高频宽记忆体（HBM）封装工厂及研发设施。美方还将向SK海力士提供5亿美元贷款，以及最多可达其在美资本支出25％的投资税收抵免。

补贴具体金额今后将根据美国《晶片和科学法》的资助机会通知（NOFO）敲定。SK海力士的补贴资金比例为11.6％，虽低于三星电子（14.2％），但高于台积电（10.2％）和英特尔（8.5％）。

SK海力士4月曾宣布，将投资38.7亿美元在印第安纳州西拉斐特修建下一代高频宽记忆体生产基地，并计划于2028年下半年开始量产。