环球晶汉民台亚 抢新材料大饼

环球晶董事长徐秀兰日前在股东会中表示，化合物半导体需求很强劲，特别是碳化矽。图／本报资料照片

碳化矽（SiC）成长快速，但良率及成本仍待努力，氮化镓（GaN）应用相对较成熟，台湾各大厂包括中美晶（环球晶）、汉民（嘉晶、汉磊）、日亚化（台亚）及合晶抢进，以期分食市场大饼。

碳化矽和氮化镓是目前被市场认为，深具发展前景的下一代半导体材料，在5G、电动车、绿能（风力发电）、高速运算等高功率发电、高频率的运用上，是最关键的要素。

相较于传统的半导体矽材料，碳化矽和氮化镓这类宽能隙元件具有优异的热传导率和高速切换能力，可减少运作损耗；出色的性能适合在高温高电流环境下运作，可提供更高的功率和绝佳热传导；其散热性能优越，且高饱和电流适用于快速充电。

看好此一发展，环球晶董事长徐秀兰日前在股东会中表示，化合物半导体需求很强劲，特别是碳化矽，每年产能加倍，但是客户还要求扩产速度要加快，而且正加速转往8吋产品。

氮化镓成长力道不及碳化矽，但环球晶已经扩了一个无尘室，也有客户正在验证。

此外，合晶指出，氮化镓的应用在高压及快充上，技术已相对成熟，随着绿能的需求上升，电网对控制晶片的要求也正在改变，该公司扩建产能应用，将会逐步转到高压、化合物半导体等应用领域。

至于已在碳化矽和氮化镓着墨甚深的嘉晶及汉磊，则认为，车用、工业用、绿能等将成为该公司未来主要成长动能，汉磊目前拥有两个6吋厂，一座厂是以化合物半导体相关，稼动率达8成，另一个厂以矽为主，主要应用是消费性产品，稼动率则较低。受惠于碳化矽产品需求强劲，法人预估，汉磊今年力拚可以逐季成，全年可望持平或略成长。

台亚的碳化矽透过转投资的积亚半导体切入，预计2023年第四季前就会完成6吋碳化矽每月3,000片之产能置备且逐步导入生产，产能目标为每月5,000片；氮化镓已经利用现有的6吋感测元件厂试产，预定2024年底前每月出货拉升至3,000片，营收占比持续提高。