Intel說明最後一個以FinFET設計的Intel 3製程節點細節 將區分四種版本

▲Intel 3制程将率先用于代号「Sierra Forest」且采用全E Core节能核心设计的第六代Xeon处理器

今年在Computex 2024期间展示以Intel 3制程打造、代号「Sierra Forest」且采用全E Core节能核心设计的第六代Xeon处理器之后，Intel在IEEE VLSI全球超大型积体技术及电路国际会议上公开Intel 3制程具体细节。

其中，相比Intel 4制程，Intel 3制程的电晶体密度相对提升10%，同时也让电功耗效能提升18%，更将是Intel最后一个维持FinFET (鳍式场效电晶体)技术设计的制程节点。

在Intel 3之后，Intel接下来将会转入Intel 20A及Intel 18A，并且改用GAA (环绕式闸极结构)技术的RibbonFET设计。

▲Intel 3将是Intel最后一个维持FinFET (鳍式场效电晶体)技术设计的制程节点

Intel 3制程将划分4个版本，包含标准Intel 3制程及采用矽穿孔设计的Intel 3-T，另外也包含具扩充特性的Intel 3-E，以及针对效能提升的Intel 3-PT。

Intel 3-T将建立在Intel 3基础之上，导入针对3D堆叠设计使用的矽穿孔 (TSV)技术设计，主要用于影像处理、高效能运算及人工智慧，或是需要将多组运算元件与记忆体统整在相同封装的处理器。

而Intel 3-E则加入可用于外部介面、模拟等讯号连接的I/O功能，可用于晶片组或控制器产品。至于Intel 3-PT则是锁定高效能处理器使用，其中导入间距仅9µm的矽穿孔技术，使其可对应密度更高的3D堆叠设计，预计用在人工智慧与高效能运算处理器产品。

▲Intel 3制程将划分4个版本，包含标准Intel 3制程及衍生设计的Intel 3-T，另外也包含具扩充设计特性的Intel 3-E，以及针对效能提升的Intel 3-PT

依照Intel代工技术研发部门副总裁Walid Hafez说明，Intel 3作为最后一个采用FinFET设计制程节点，将成为Intel内部生产产品，以及外部合作代工产品，并且衔接未来新技术的重点项目。

目前Intel 3制程已经开始在Intel位于俄勒冈州的产线投入量产，同时也在位于爱尔兰的莱克斯利普 (Leixlip)产线用于生产Intel第六代Xeon处理器，并且协助客户代工量产晶片产品。

▲Intel 3制程已经开始在Intel位于俄勒冈州的产线投入量产，同时也在位于爱尔兰的莱克斯利普 (Leixlip)产线用于生产Intel第六代Xeon处理器，其中将区分全E-Core节能核心设计或全P-Core效能核心设计版本

接下来采RibbonFET设计的Intel 20A则预计会在今年底投产，至于Intel 18A也将在2025年投产，预计用在代号「Panther Lake」的新一代处理器产品，借此实现先前提出「4年横跨5个制程节点」的承诺。

▲实现先前提出「4年横跨5个制程节点」的承诺

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