《科技》DIGITIME：同质GaN功率元件有望逐步渗透中高功率应用

王尊民说明，现行GaN功率元件多以异质磊晶结构，适用操作于中低功率(小于10W)环境中，主要用于如3C产品、工业及家电、车用零组件等领域，若相关业者欲跨足于可靠度及安全性要求较高的伺服器及电动车领域，有待同质GaN功率元件(GaN on GaN)陆续问世，且与碳化矽(SiC)功率元件业者竞逐。

由于GaN功率元件较传统Si功率元件拥有较高频特性，因此在电路拓朴设计优化上可缩减被动元件使用量，并同步降低产品的体积及重量，以及增进3C产品、伺服器及车用领域于能源转换上的效率表现。DIGITIMES研究中心观察，未来随同质GaN磊晶结构接续推出，3C产品快充类型将朝向更大功率及多元应用发展迈进，且伺服器电源供应器、电动车马达及电力系统并将逐步导入，增进产品能效，然因GaN基板生成技术尚待突破，5年内同质GaN功率元件较难实现量产规模。