《科技》美光MRDIMM送样 H2大量出货

美光MRDIMM使客户得以满足要求日益严苛的工作负载，发挥运算基础架构的最大价值。针对记忆体需求高达每DIMM插槽128GB以上的应用，美光MRDIMM的效能更胜目前的矽晶穿孔型(TSV)RDIMM，实现最高频宽、最大容量、最低延迟，以及更高的每瓦效能，加速记忆体密集型如虚拟化多租户、HPC和AI资料中心等的工作负载。

美光副总裁暨运算产品事业群总经理Praveen Vaidyanathan表示，美光最新推出的创新主记忆体解决方案MRDIMM以更低的延迟提供业界迫切需要的高频宽与大容量，有助在下一代伺服器平台上实现大规模AI推论和高效能运算(HPC)应用。MRDIMM显著降低每项任务的功耗，同时延续了与RDIMM相同的可靠性、可用性和可维护性功能与介面，为客户提供灵活扩充效能的解决方案。由于美光与业界紧密合作，因此新产品不仅能够无缝整合到现有伺服器基础架构中，更可顺畅衔接未来运算平台。

MRDIMM技术采用DDR5的物理与电气标准，带来更先进的记忆体，每核心的频宽与容量双双提升，为未来运算系统做好准备，更满足资料中心工作负载日益成长的需求。相较于RDIMM ，MRDIMM具有三大优势，为记忆体有效频宽提升多达39%、汇流排效率提高15%以上、延迟降低高达40%。

MRDIMM支援从32GB到256GB的容量范围；提供标准尺寸和加高尺寸(TFF)两种规格，适用于1U和2U高效能伺服器。TFF模组采用先进散热设计，在相同功率和气流条件下，DRAM温度可降低20°C之多，进而提升资料中心的冷却效率，并优化记忆体密集型工作负载的系统总能耗。在最高资料传输率下，256GB TFF MRDIMM的效能较同容量的TSV RDIMM提升35%。采用256GB TFF MRDIMM，资料中心可享受前所未有的整体拥有成本(TCO)优势，大胜传统TSV RDIMM。