清华大学申请薄膜及其制备方法专利，制得的钴锑二元化合物的薄膜有望能够成为新型的高温超导材料、拓扑材料

金融界2024年6月26日消息，天眼查知识产权信息显示，清华大学申请一项名为“薄膜及其制备方法“，公开号CN202410677231.X，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本申请提供一种薄膜及其制备方法，薄膜的成分为钴锑二元化合物，钴锑二元化合物具有四方相的晶体结构。本申请提供的制备方法可制得具有四方相晶体结构的成分为钴锑二元化合物的薄膜，且薄膜具有大面积连续分布的形貌，通过该制备方法制得的钴锑二元化合物的薄膜有望能够成为新型的高温超导材料、拓扑材料。

本文源自：金融界

作者：情报员