三星打出3奈米GAA狠呛声 台积电强招连环出迎战死敌

台积电。(图/达志影像)

三星集团(Samsung Group) 实际领导人、三星电子副会长李在镕8月13日假释出狱后，立即宣布未来3年投入240兆韩圜(约2050亿美元，换算新台币为5.7兆元)，巩固该公司在后疫情时代科技产业的优势地位，甚至称该公司下一代制程节点3奈米制程采用环绕闸极技术（Gate-All-AroundGAA）不会输给全球晶圆代工龙头台积电，不过，台积电打算在3奈米制程延用FinFET架构，迎战三星。

三星近期不断呛声，先是宣布三星3奈米制程正式流片 (Tape Out)，主要是与新思科技 (Synopsys) 合作，加速为 GAA技术提供最佳化解决方案。并在8月25日线上召开的三星科技暨事业论坛(Samsung Tech & Career Forum)，三星「装置解决方案」(Device Solution DS)事业部科技长Jeong Eun-seung表示，三星2017年才将晶圆代工业务独立出来，并以该公司在记忆体市业成长性来看，从多重闸道 3D 电晶体的鳍式场效电晶体(FinFET)发展至4D的GAA技术，领先主要竞争对手台积电，预料晶圆代工事业发展迟早会超越台积电。

不过，台积电2019年推出的7奈米制程领先业界，导入极紫外光（EUV）微影技术进行量产，且维持高良率表现，获得大量客户青睐，让台积电在7奈米制程拉开与三星的差距。根据台积电先前年报资料显示，台积电5 奈米制程技术已广泛采用EUV 技术；3 奈米基于EUV技术展现优异的光学能力，与符合预期的晶片良率，以减少曝光机光罩缺陷及制程堆叠误差，并降低整体成本；2 奈米及更先进制程上将着重于改善极紫外光技术的品质与成本。

根据目前时程来看，台积电将在明年量产基于5奈米技术的4奈米制程，以及在明年下半年量产3奈米制程，并延续FinFET架构，主要是在控制成本与整体良率表现佳之下，让客户更愿意采用台积电3奈米。目前市场传闻，预料重返晶圆代工领域的美国半导体巨头英特尔，以及台积电大客户苹果都会采用台积电的3奈米制程，台积电也将在跨入2奈米制程之际，才会导入GAA技术。

据digitimes报导，三星3奈米制程研发规划分为2个阶段，第一代的GAA GAE(GAA-Early)与第二代3奈米GAP(GAA-Plus)，2019年就称3奈米GAE制程2020年底前展开风险试产，2021年开始量产，但目前未见踪影，外界认为将延迟到2023年才会量产，但目前三星预定将在2022年底前量产。

业界认为，三星与台积电制程技术持续扩大，想提前导入GAA技术，借此弯道超车台积电，这也能让大家理解，但三星良率问题重大，加上采用GAA技术门槛更高，三星在7奈米、5奈米制程都输给台积电，想依靠在3奈米制程反败为胜相当困难。

此外，就算三星宣称3奈米正式流片，预计2022年底前量产，但就跟先前IBM宣称推出全球首款2奈米GAA技术，虽然证实GAA技术应用在先进制程的可能性，但目前仍处在实验室阶段，想要大规模量产仍有相当大的难关要克服。此外，台积电3奈米延续FinFET架构另外一个优势，就是可以让客户在成本、效能都有能见度的状况下安心下单，让台积电3奈米制程的订单规模可期，更能有效掌握成本与定价能力，维持台积电强劲获利能力。

台积电近期也传出提高晶圆代工报价，先进制程调涨7~9%，成熟制程调涨20%，协助台积电毛利率进一步成长，外传三星也跟进调涨报价，预料未来终端产品价格势必迎来一波涨势。

至于台积电2奈米竹科生产基地日前通过环评，并且获得客户资金支持共同参与研发，预期2024年才会问世，业界认为不需要急着推进，只要跟着客户需求一步步调整计划，就能稳定在先进制程领先竞争对手。