对台积电下马威？三星泄3奈米GAA技术 最新进度曝光
全球晶圆代工龙头台积电在该领域的竞争对手三星电子誓言在2030年成为全球系统半导体龙头，并采用极紫外光（EUV）微影技术，打算在10年内超越台积电，并提前在3奈米制程就采用环绕闸极技术（Gate-All-Around,GAA）。最新资料显示，三星先前在IEEE 国际积体电路会议上，就能见到3奈米制程GAA技术的发展。
目前20奈米以下制程采用的是鳍式场效电晶体(FinFET)，是种多重闸道 3D 电晶体，控制电流通过的闸门从平面走向类似鱼鳍的3D电晶体，并由闸极(所称的20奈米制程，指得就是闸极长度，或称线宽)所包覆，大大强化控制电流，并降低电漏与动态功耗等效能，前台积电技术执行长、柏克莱加州大学教授胡正明为第一代发明人之一。过去台积电以28奈米制程打好基础下，并在16/20奈米制程导入FinFET架构，在既有的基础上减少制程变动，让台积电可以有效掌握研发各项生产变数。
当时三星看到台积电在20奈米制程导入FinFET架构，直接命名14奈米制程，当时主导的三星晶圆代工制程研发的，就是前台积电前研发处长、现任中芯国际联合执行长，时任三星研发副总经理的梁孟松，不过，当时三星14奈米制程的晶体面积虽然小于台积电16奈米制程，并同为苹果A9处理器代工生产，但实际上，台积电稳扎稳打的研发过程，无论在制程、设计、IP与EDA工具垒机使用经验，让台积电一路发展7奈米制程，采用深紫外光(EUV)微影技术生产晶片，把与三星的差距拉开，甚至到5奈米制程，无论是电晶体密度或是鳍片间宽度都达到业界高水准，FinFET推至3奈米制程依然能继续使用，让台积电有自信直至2奈米才采用GAA架构。
据外媒 《tomshardware》 报导，GAA技术有2种，一种是采用奈米线做为电晶体鳍片的GAAFET，另外一种则是奈米片形式的较厚鳍片的多桥通道场效应电子电晶体 MBCFET，一般大多是以GAAFET来描述。
实际上，GAAFET早在1988年就问世，该种设计更有效扩张接触面积，理论上让性能与功耗大幅改善，但在当时电晶体通道只能加宽1或2倍，精度难以控制，甚至使得效率变差，导致FinFET更早一步被业界踏入先进制程领域广为使用。
三星表示，在与该公司的7奈米LPP制程相比，3GAE 制程可以在同样功耗下提高性能30%，或是在同样频率下降低功耗50%，电晶体密度提升80%。三星还指出，3奈米制程MBCFET 技术将会在 2022 年投产。