台积电２奈米进度超前

台积电3奈米及2奈米制程布局

晶圆代工龙头台积电3奈米如期在下半年进入量产，2奈米研发超前部署，除了是台积电第一个奈米层片（Nanosheet）的环绕闸极（GAA）电晶体架构制程，也会是业界首度采用高数值孔径（High-NA）极紫外光（EUV）微影技术的先进制程节点，进度可望超前三星及英特尔。

台积电预计在竹科宝山二期兴建Fab 20超大型晶圆厂，将成为2奈米生产重镇。台积电Fab 20厂区将分为第一期到第四期、共兴建4座12吋晶圆厂，预计2024年下半年进入风险性试产，2025年进入量产。台积电2奈米将首度采用奈米层片GAA电晶体架构，技术开发进度符合预期。

台积电近几年能够维持强劲成长动能，下半年就算消费性电子需求疲弱，半导体生产链进入库存调整，8月合并营收仍达2,181.32亿元创下历史新高，对下半年产能满载深具信心，其中关键原因就是先进制程由开发到量产的时间点均大幅领先竞争同业，新制程一推出自然就等于是通吃整个市场订单。

台积电表示，在过去的15年中一直在研究奈米层片电晶体，并建立了坚实的能力。台积电相信2奈米是导入奈米层片GAA架构电晶体的合适制程，将速度和功率提升一个世代，协助客户保持竞争力。

台积电重申2奈米开发符合进度，预计于2025年量产。在奈米层片电晶体和设计技术协同优化（DTCO）的协助下，台积电2奈米效能和功率优势提升了一个世代。相较于3奈米N3E制程，在相同功率下速度提升10％～15％，或在相同速度下功率降低25％～30％。且由于奈米层片电晶体具有卓越的低Vdd（晶片工作电压）效能，2奈米在正常Vdd及相同的功率下，效能提高了15％，在较低的Vdd（0.55V）下，优势扩大到26％。

台积电2奈米制程能够持续推进并领先竞争同业，另一关键在于掌握EUV曝光机产能及技术。台积电为了积极解决关键制程的间距缩小问题，在7奈米N7+制程开始利用EUV曝光设备和多重曝刻技术。台积电将在2024年引进High-NA EUV曝光设备，开发客户所需的相关基础建设结构和曝刻解决方案以支援创新。据了解，台积电可望再度领先同业，在2奈米首度采用High-NA EUV技术。