三星考虑将MUF技术应用于服务器DRAM内存
《科创板日报》4日讯,三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充(MUF)技术。三星最近测试了一种用于3D堆栈 (3DS) 内存的MR MUF工艺,与TC NCF相其吞吐量有所提升,但物理特性却出现了一定恶化。经过测试,该公司得出结论,MUF不适用于高带宽内存 (HBM),但非常适合3DS RDIMM,而目前3DS RDIMM使用硅通孔 (TSV) 技术制造,主要用于服务器。 (TheElec)
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