三星否认将在HBM芯片生产中应用MR-MUF工艺

财联社3月13日电，三星电子发布声明称，关于三星将在其HBM芯片生产中应用MR-MUF（批量回流模制底部填充）技术的传言并不属实。早些时候有报道称，三星计划采用SK海力士使用的MR-MUF封装工艺，替代部分其目前采用的非导电薄膜（NCF）技术。