三星美光DRAM 看涨逾15％

外界预测，三星第一季DRAM晶片价格至少调涨15％。图／本报资料照片

DRAM现货均价变化

过去一年来记忆体晶片大厂相继减产终于让晶片价格回稳，再加上近日AI商机及先进电脑运算需求持续扩大，令业者开始酝酿涨价。外媒引述消息报导，三星电子及美光打算在第一季将DRAM晶片价格调涨15％至20％。

去年第四季NAND Flash晶片价格已率先反弹，虽然当时DRAM晶片尚未出现明显涨幅，但产业人士已开始预期整体记忆体晶片价格即将开始上涨，尤其是DDR4及DDR5两种规格的DRAM晶片可望率先在今年初上涨。

■NAND Flash也有望续涨

近日已有储存设备制造商透露，三星第一季DRAM晶片价格至少调涨15％。此外，三星并未透露NAND Flash晶片是否在第一季涨价，但业界普遍预期NAND Flash晶片价格在去年底呈现的涨势将延续到今年。

2023年12月3D TLC NAND晶片价格上涨10％，同一期间DRAM价格仅上涨2％至3％。但近日随着智慧型手机及伺服器需求升温，且DRAM晶片大厂产能利用率依旧偏低，业界预期DRAM供应相对吃紧，将推动DDR4及DDR5晶片价格在第一季上涨。

以三星为例，2023年第四季三星DRAM产量只有去年第一季的70％。这段期间三星及同业借由调整产线配置并扩大先进制程比重来维护获利，因此业界认为今年第一季各大厂仍将继续严格控制DRAM产能，进而激励价格回升。

■研究机构：涨势看到年底

研究机构TrendForce也预期，2024年随着智慧型手机及PC市场库存回补，DRAM晶片供应量可能逐渐吃紧，估计价格涨势将延续到今年底。

该机构预期今年第一季DRAM晶片价格平均涨幅约在13％至18％，其中又以智慧型手机DRAM晶片价格涨幅最大，伺服器DRAM晶片价格涨幅相对保守。

TrendForce在最新报告中预期2024年第一季智慧型手机DRAM晶片价格上涨13％至18％，与先前预期的8％至13％涨幅相比上修不少。