三星前高层将技术泄密给中国 下场曝光

首尔中央地方法院专门负责拘留令的部长法官金美京5日针对涉嫌违反「关于防止不正当竞争与保护商业秘密的法律」的崔珍奭和前三星电子首席研究员吴某举行了拘留前的嫌疑人审问（拘留令实质审查），判定「有潜逃的可能」并签发了拘留令。

两名嫌疑人涉嫌将包含20奈米级晶片生产所需的温度、压力等600多道制程核心资讯的资料泄露给中国成都高真科技。根据首尔警察厅产业技术安保调查队掌握的情况，两名嫌犯涉嫌将三星电子关于20奈米级DRAM晶片的独家技术打包泄漏。

创立成都高真的崔珍奭曾担任三星电子常务、海力士副社长。2023年6月，他曾因涉嫌窃取三星电子晶片工厂设计图，并意图开设20奈米级DRAM晶片的「三星电子复制工厂」被拘留，并于11月被保释出狱。

1月15日，警方曾申请签发吴某的拘留令，但法院以「有必要保障其防御权」为由驳回。

随后警方进行了补充调查，2日透过首尔中央地方检察厅资讯科技犯罪调查部（部长安东建）再次申请签发吴某的拘留令，一并申请的还有崔珍奭的拘留令。据悉，考虑到犯罪的重大性和损失规模，检方亲自出席了拘留令实质审查，说明了犯罪嫌疑。