十季首見 三星記憶體庫存少了

三星晶片部门的库存，在去年底下滑，为十个季度首见，让外界益发期望，三星记忆体晶片部门有望在今年第1季转盈。 （美联社）

记忆体需求回暖，三星电子晶片部门的庞大库存，在去年底开始减少，为十个季度首见，让外界益发期望，该公司的记忆体部门有望在本季转盈。而人工智慧（AI）趋势爆发，带动高频宽记忆体（HBM）需求激增，据传三星因迟迟吃不到辉达（Nvidia）订单，决定改采对手SK海力士的生产技术。

韩国每日经济新闻报导，据三星12日提交的2023年业务报告，负责半导体业务的装置解决方案（DS）部门，到去年第4季季末为止，库存资产总计达30.99兆韩元（235.8亿美元），为DS部门自2021年第2季起的十季以来，首次出现库存资产减少。

报导指出，三星减产DRAM和NAND，加上记忆体晶片的需求逐渐复苏，都促成了库存下滑。

记忆体业从2022年底开始，陷入严重低潮，三星DS部门的库存资产在2022年第2季末，总计为21.51兆韩元，隔年的第2季季末一口气跳升57%至33.69兆韩元，第3季季末续增至33.73兆韩元，但第4季降至30.99兆韩元。

另外，据路透报导，记忆体大厂SK海力士和美光（Micron）的最新款HBM记忆体，均夺下AI晶片霸主辉达的订单，三星却未获订单，格外引人注意。

分析师与业界观察家指出，三星落后的原因之一，是坚持采用非导电胶膜（NCF）的晶片制造技术，导致生产出现问题；SK海力士则改用批量回流模制底部填充（MR-MUF）的方法，来解决NCF弱点。

知情人士指出，三星最近已下单采购，适用于MUF技术的晶片制造设备。他们说：「三星必须想办法提高HBM良率...采用MUF技术，对三星来说，有点像是放下自尊，追随SK海力士率先采用的技术」。据悉由于仍需进行更多测试，三星要用MUF量产，可能要等到明年。

多位分析师透露，目前三星的HBM3生产良率约为10%~20%，而SK海力士则高达60%~70%。据悉三星的HBM3至今仍未通过辉达的供货资格。与此同时，美光上个月加入战局，宣布最新的HBM3E获辉达采用。

HBM3和HBM3E是最新款的HBM晶片，目前需求正旺，此种记忆晶片和核心微处理器封装在一起，可处理生成式AI的庞大数据。

投资人己注意到三星电子在AI晶片竞争中的挫败，该公司今年股价跌7％，SK海力士和美光股价则分别上涨17％和14％。