记忆体 Q2降价清库存、Q3盼转机

记忆体市场第一季明显供给过剩，主要原因仍是消费性电子需求疲弱，导致ODM／OEM厂及系统厂均大幅减少采购量。根据集邦统计，第一季DRAM合约价大跌约20％，NAND Flash合约价亦续跌10％～15％，为了减少库存水位，包括SK海力士、美光、铠侠等上游原厂仍持续减产。

第二季虽然已看到消费性电子库存水位开始下滑，但因为是传统淡季，DRAM及NAND Flash市场仍然处于供过于求情况。上游原厂除了减产收敛产能及降低生产线负载，也采取严格库存管控，并再度降价清库存，希望能让市场过多存货提前回复健康水位。

集邦预期，下半年消费性电子市场能见度仍然不高，上游原厂持续降价去化库存，预估第二季DRAM合约价将较上季续跌10％～15％，至于第二季NAND Flash合约价虽较上季续跌5～10％，价格下行周期尚不见终止，后续恢复供需平衡的关键在于原厂是否有更大规模的减产。

事实上，DRAM及NAND Flash去年价格逐季走跌，今年第一季价格几乎已达很多原厂的成本价，第二季价格续跌情况下，记忆体厂上半年本业出现亏损已是在所难免。业界目前期待终端消费力道在下半年复苏外，也透过减产及降价来释放供给过剩压力。

业者指出，虽然记忆体价格仍处于跌势，但价格下跌有助于推升搭载容量增加，例如高阶手机NAND Flash搭载容量已达512GB或1TB，行动式DRAM搭载容量提升到12GB或16GB。只要终端需求回升，下半年记忆体市场应可止跌回升并迎来转机。