记忆体合约价 Q2同步上修

图／美联社

记忆体价格红不让，TrendForce最新预估，第二季DRAM合约价季涨幅，将上修至13％～18％；NAND Flash合约价季涨幅，同步上修至约15％～20％。全线产品仅eMMC／UFS价格涨幅较小，约10％。

在4月3日地震前，TrendForce预估，第二季DRAM合约价季涨幅约3％～8％；NAND Flash为13％～18％，相较第一季涨幅收敛。

TrendForce指出，当时从合约价先行指标的现货价格就可看出，现货价已连续走弱，上涨动能低落、交易量降低等情况。

究其原因，主要是除了AI以外的终端需求不振，尤其笔电、智慧型手机的需求尚未有复苏迹象，买方在手库存逐渐增高，又以PC OEM为最。

同时，DRAM及NAND Flash至今已分别续涨二～三个季度，买方再接受大幅涨价的意愿消退。

但在4月3日七级地震后，市场零星传出，有PC OEM供应商出于特殊考量，接受高昂的DRAM及NAND Flash合约价涨幅，但仅是零星成交案件。

至4月下旬，相关业者陆续完成新一轮合约价议价后，涨幅较原先预期扩大，TrendForce因而上修第二季DRAM、NAND Flash合约价涨幅预测，除了反映买方欲支撑在手库存的价值，更包含供需两端对AI市场展望的考量。

TrendForce表示，由于原厂担忧后续有HBM产能排挤效应，以三星（Samsung）来看，HBM3e产品采用1alpha制程节点，至2024年底将占用1alpha制程产能约六成，进一步排挤DDR5供给量，尤其以第三季HBM3e生产即将放量的时间点影响最大。

经评估后，买方转而愿意第二季提前备货，因应第三季起可能出现HBM供应短缺。

同时，随着节能成为AI推论伺服器（AI Inference Server）优先考量，北美云端服务业者（CSP）扩大采用QLC Enterprise SSD作为存储的解决方案，带动QLC Enterprise SSD需求，并加速部分供应商的库存去化，推动部分供应商出现惜售心态。

值得注意的是，受限于消费性产品需求复苏情况不明朗，原厂普遍对于非HBM晶圆产能的资本支出趋于保守，尤其是价格处于损益平衡点的NAND Flash，致NAND Flash供给仍小于需求。