《科技》DRAM产业Q2营收季增近25% Q3合约价涨幅上修

观察第三季DRAM价格,TrendForce表示,多数DRAM原厂甫于2024年7月下旬和PC OEMs及CSPs议定第三季合约价,结果显示涨幅皆高于预期。TrendForce据此上修conventional DRAM第三季合约价涨幅为8%至13%,较原预估值提高约5个百分点。

TrendForce指出,自第二季开始,中系CSPs因担忧美国政府对其AI晶片或记忆体采购推出新一波制裁,皆积极备货,导致采购规模较去年同期翻倍,激励DRAM原厂锁价喊涨。这种情况对美系CSPs的采购谈造成压力,让美系业者也必须上修采购价。而server DRAM价格涨幅上调,同样有利于刺激PC DRAM合约价的商谈气氛。

此外,为赶在HBM3e产品通过验证后及时出货,Samsung先已在工厂投片生产HBM3e晶圆,此举将排挤2024年下半年1alpha nm制程的DDR5排产。各原厂近期逐步完成2025年度的产能规画,其中,HBM生产比重较高的SK hynix及Samsung都将出现HBM3e排挤DDR5的情况,预期未来几季DRAM价格将难以回落。

观察三星Samsung、SK海力士SK hynix和美光Micron第二季出货表现,皆较前一季增加,平均销售单价方面,三大厂延续第一季合约价上涨情势,加上台湾四月初地震影响,以及HBM供不应求、催化DRAM买方转为积极采购,第二季合约价最终调涨13%至18%。

TrendForce表示,2024年第二季Samsung受惠于平均销售单价季增17%至19%,位元出货量也小幅增加,带动DRAM营收成长至98.2亿美元,季增22%,市占维持第一。SK hynix则因其HBM3e产品通过认证、出货放量,带动位元出货季增超过20%,营收大幅增加至79.1亿美元,季增幅高达38.7%。Micron第二季的营收较上季增加14.1%,为45亿美元,虽然售价微幅下降,但位元出货量季增达15%至16%,但由于Micron第二季积极去化低价的1beta nm DDR5次品库存,整体表现落后两大同业。

在各厂获利部分,由于DRAM合约价上涨,原厂产能利用率已恢复满载、认列库存跌价损失回转,以及DDR5、HBM等高价产品出货比重提升,各原厂第二季持续保持获利。其中,Samsung营益率自上季的22%增加至37%,SK hynix从33%增至45%,Micron则因为HBM产品贡献度较低,营益率仅从6.9%回升至13.1%。

观察台厂第二季表现,南亚科(2408)在consumer DRAM的终端销售动能放缓,出货量小幅下降,但因平均单价上扬,营益率从-30.7%改善至-23.4%。华邦电(2344)因小幅调涨高容量产品合约价,平均销售价格成长24%至26%,加上高单价的低容量产品出货比例高,带动营收季增3.7%,达1.68亿美元。力积电(6770)若只计算其生产的consumer DRAM营收,第二季则季减约13.5%,若加计代工营收则季增2.2%,反映代工客户积极储备库存。