《半导体》威刚：记忆体价Q3涨幅胜Q4 DRAM明年迎大多头

DRAM今年合约价向上走没有改变，NAND合约价格今年第一季相比更为强劲，不过随着上游产能利用率回升，涨幅预估稍微趋缓；现货价方面，DRAM价格4月开始价格波动疲弱，七月部分产品价格已止跌回升，回到正向发展，而NAND在今年三月下旬开始走弱，第二季现货价出现波动，预估在市场库存去化告一段落后有助持续往上。针对DRAM、NAND FLASH价格后续走势，发言人陈静慧表示，预估今年下半年DRAM、NAND价格维持续涨格局，第三季可望双双双位数成长，第四季涨幅NAND则相对缩小，但DRAM维持高个位数成长。后续合约价仍比现货价高，价差依产品约10-20%都有。

威刚整体维持相对高档库存水位，威刚说明，库存金额从去年第四季开始逐季下降，但降幅不是显著大量，主因认为价格会一路向上，不过记忆体价格起涨为去年下半年，涨期达一年，后续将库存大量拉高正面效应缩小，库存水位建立不会像去年大量低价采购，以稳定充沛管理库存。目前DRAM和NAND库存周数今年前5月水位相当，至今NAND库存降到安全正常水位，NAND库存降到12周左右，DRAM库存还是相对到16周以上。

威刚也提到，第二季现货价波动较大，公司择优接单，第二季接单量虽然较去年第四季、今年第一季小，但提高毛利率、本业获利表现。而市场针对第二季价格上恐拉低拉货力道，威刚则表示，客户相对维持稳定需求，没有特别高低起伏。

AI热潮来势汹汹，远眺记忆体明年中长期发展，威刚表示，相对看好DRAM供需状态，AI PC、AI手机新品问世，加上上游厂商产能配置，DRAM表现可望优于NAND，供给有限下明年DRAM恐缺货，带动DRAM大多头时期，即使OEM拉货短暂调整，对长期AI提材，动能会持续延烧；至于NAND消费性SSD价格竞争跟市场买气在第二季显著剧烈波动向下调整，后续需求仍存，不过企业端、AI端需求估高于消费端，不过供应商相对多，变动因素则大于DRAM，今年下半年威刚NAND降至中性库存水位。

依照目前DRAM销售比重，DDR4占比一半以上、DDR5第二季占DRAM三成左右、DDR3占比约一成以内。eSSD占SSD营收比重不到一成。威刚提到，预期年底DDR5成为主流，占DRAM超过五成以上，DDR4从主流变成利基型商品，长线来说DDR4采购逐渐修正，但目前仍看好是替代阶段，第四季DDR4有机会价格涨幅增加，而DDR3则配合客户需求。

威刚今年第二季业外认列3.7亿损失，威刚说明，利息支出占2.5亿元左右、短投1.7亿元损失、汇兑数百万损失，加上第二季开始博士旺合并报表，而有运彩2亿元收入。