台积电营业报告书出炉 先进制程开道 AI条条大路通神山

台积去年晶圆出货量达1,200万片（约当12吋晶圆），先进制程技术（7奈米及以下先进制程）的销售金额，占整体晶圆销售金额的58％，高于前年53％。全球半导体（不含记忆体）产值占比约28％，略低于前年的30％，主要因半导体产业的库存调整所致。

台积强调，去年新的研发中心在台湾启用，进一步强化了研发强度和技术开发，且去年下半年3奈米制程技术迈入高度量产且成长强劲，亦持续强化包括N3E、N3P和N3X在内的N3制程技术，并预计在众多客户的强劲需求支持下，N3制程技术在今年与未来几年中将贡献更多的营收。

在2奈米部分，台积指出， N2将采用奈米片（Nanosheet）电晶体结构，其效能及功耗效率皆提升一个世代，预估2025年迈入量产，以满足节能运算日益增加的需求，亦为N2开发了背面电轨（backside power rail）解决方案，最适用于高效能运算相关应用。

台积预计N2背面电轨将在2025年下半年推出供客户采用，并于2026年量产。

台积强调，N2在高效能运算和智慧型手机相关应用方面引起很大的客户兴趣和参与，此兴趣和参与程度比N3在同一阶段时更高。N2及其衍生技术将因我们持续强化的策略进一步扩大台积的技术领先优势。

台积3DFabric后段技术包括CoWoS和InFO先进封装技术家族，其中，CoWoS技术在去年受惠于众多客户AI晶片的强劲需求，前段3DIC技术TSMC-SoIC（系统整合晶片）也于去年进入量产，推动客户的下一代旗舰型AI产品得以产出。

台积电表示，相关制程正严谨地与客户密切合作，根据长期市场需求规划产能。