亿纬锂能申请一种人工 SEI 膜包覆的硅负极活性材料及其制备方法专利，避免硅基材料体积膨胀引起 SEI 膜破裂造成电池循环性能劣化

金融界 2024 年 8 月 14 日消息，天眼查知识产权信息显示，惠州亿纬锂能股份有限公司申请一项名为“一种人工 SEI 膜包覆的硅负极活性材料及其制备方法“，公开号 CN202410532924.X，申请日期为 2024 年 4 月。

专利摘要显示，本发明提供一种人工 SEI 膜包覆的硅负极活性材料，包括硅基材料和包覆于硅基材料表面的人工 SEI 膜，人工 SEI 膜包括共聚物，共聚物的结构中含有 1,3‑二氧戊环基团和磺酰氟基团。本发明所提供的人工 SEI 膜包覆的硅负极活性材料通过在硅基材料的表面包覆特定的共聚物，1,3‑二氧戊环基团能够使共聚物具有良好的柔韧性，磺酰氟基团有利于进一步增强共聚物的柔韧性，由此，利用该共聚物作为人工 SEI 膜对硅基材料进行包覆，能够有效缓解硅基材料的体积膨胀，避免硅基材料体积膨胀引起 SEI 膜破裂造成电池循环性能劣化等问题。

本文源自：金融界

作者：情报员