英飞凌新记忆体 瞄准汽车EDR市场

近期，英飞凌进一步扩展其EXCELON F-RAM记忆体产品，推出两款分别具有1Mbit和4Mbit储存容量的新型F-RAM记忆体。全新1Mbit EXCELON F-RAM是业界首款车规级串列F-RAM记忆体。

这两款新品已通过AEC-Q100 1级认证，支援更宽广的温度范围（-40°C至+125°C），增添了储存容量从4Kbit到16Mbit的车规级F-RAM记忆体产品组合。

两款新品均具有快速且高度可靠的读／写性能，在SPI模式和Quad SPI（QSPI）模式下的读写性能分别高达50MHz和108MHz。

此外，这些记忆体具有10万亿次读写周期，能够支援以10微秒间隔进行资料记录长达20年。

EXCELON F-RAM记忆体具有零延迟写入功能，可以持续撷取并记录资料，直到事故或其他用户定义的触发事件发生前的最后一瞬间。

这两款新品采用串列（SPI／QSPI）介面，具备F-RAM记忆体的超低功耗特性，工作电压范围为1.8V至3.6V，并采用标准的8引脚SOIC封装。英飞凌F-RAM记忆体除了具有出色的耐用性外，还可在断电后，保存资料超过100年。