ASML超惊吓?俄罗斯7奈米惊人突破 泄国产EUV曝光时间

俄罗斯称开发出替代曝光机的工具。(示意图/达志影像/shutterstock)

俄罗斯企图打破艾司摩尔(ASML)先进半导体设备独占地位!俄媒消息指出,俄罗斯号称开发出可取代曝光机的晶片制造工具,甚至发下豪语,将于2028年研发出可生产7奈米晶片的曝光机,还可击败ASML同类产品。俄国目前普遍使用20年前的65奈米制程,正在兴建28奈米晶圆厂。

俄罗斯国际新闻通讯社(俄新社)报导,圣彼得堡理工大学研发出一种「国产曝光复合体」,可用于蚀刻生产无掩模晶片,将有助于解决俄罗斯在微电子领域的技术主权问题。

科学家表示,这款晶片制造设备成本为500万卢布(约台币161万元),而另一种工具的成本未知。

研究人员指出,相较于传统曝光技术需要专门掩膜板来获取影像,这款装置更为经济、便利,透过专业软体控制,实现完全自动化。该发明是「各种微电子装置运行」所需的「奈米结构」工艺分两阶段进行,首先使用基础掩模曝光机,然后利用矽等离子化学蚀刻机。

而另一款设备可直接形成奈米结构或制作矽膜,如用于舰载超压感测器。

俄罗斯目前使用最普遍的技术是20年前的65奈米制程,但现在正积极兴建28制程晶圆厂。

Tom's Hardware此前报导,俄罗斯大诺夫哥罗德策略发展机构(Novgorod Strategy Development)宣称2028年将开发出可生产7奈米晶片的曝光机,并击败ASML同类产品,即ASML Twinscan NXT:2000i DUV。

俄罗斯科学院奈米结构研究所副所长Nikolai Chkhalo表示,近20年来ASML致力于发展EUV(极紫外光)曝光机,目标是让顶尖半导体厂商保持极高的生产效率,但俄罗斯并不需要,只要根据国内的需求向前推进即可。