《半导体》DRAM跌幅收敛 华邦电获外资捧上月

外资连3日买超，华邦电周四收红，站稳29元关卡、月线，持续挑战前高29.7元。

华邦电今年第二季受到PC急单逐月增温，相较于首季低点约有20~30%增幅，虽然下游客户库存逐渐恢复正常，但有部分长短料调节，华邦电今年第二季营收为188.11亿元，季增7.39%、年减29.40%；若扣除子公司新唐(4919)，记忆体本业营收约达98.58亿元，季增15.16%，符合内部预期。产能利用率的部分，因应需求回升，中科厂第二季稼动率已回到70-80%，公司期望今年第三季稼动率站稳80%。

随终端客户第三季进入传统备货需求，各类应用市场将可望较第二季进一步回温，除PC带来库存回补的动能，近期TV面板报价回升，显示驱动IC(DDI)需求渐热，带动记忆体搭载量增加。网通产品虽然上半年需求较低迷，但也预估在今年第四季库存回补需求发酵，出货动能有望延续成长。

价格方面，根据TrendForce，目前观察Consumer DRAM交易仍冷清，同时SK Hynix延长无锡厂DDR3及DDR4 4Gb供应，产能将陆续开出；华邦电也进入量产阶段，后续投片将逐季增加，故Consumer DRAM市场仍供过于求。不过，由于原厂已陆续减产，实际效应会发生在今年第三季，加上原厂亏损严重，此今年第三季将收敛Consumer DRAM均价跌幅至0~5%。

华邦电2023年资本支出预估为121亿元，年减70.34%，大部分用于高雄厂建厂及提升制程品质、新制程研发等支出。折旧费用部份，台中厂因为折旧到期，但高雄新厂产能开出，一增一减下，2023年折旧费用预估年增加10%。华邦电规画，高雄路竹厂20nm产品可望今年第四季量产，预期2023年底到明年第一季时，高雄厂月产能可达14K片。

虽然景气不佳，华邦电持续计划往更高阶制程转进，且每一个产品线要在一线客户的渗透率拉高，有助产品单价以及获利表现。DRAM产品部份，25S nm技术为2023年的重点，Flash则是转为46nm，持续优化产品组合与客户组成，提升毛利率。长期来看，穿载装置、网通 WiFi6/7、物联网、车用、远端应用、工业加速数位转型及美国启动基建，都将搭载更多容量的利基型DRAM及NOR/NAND Flash。惟在各记忆体厂减产下，报价都尚未止稳，价格筑底时间较预期长，短期亏损压力仍大。