《半导体》记忆体找亮点 南亚科冲3个半月高价

美国对大陆半导体进行出口管制措施，继南韩记忆体大厂SK海力士(SK Hynix)、三星电子(Samsung)已取得暂时豁免期1年之后，业界传出台积电(2330)也可获得豁免期1年，可继续订购美国半导体制造设备，用在大陆厂的扩产。记忆体产出将未大幅受阻。不过近期记忆体厂因应报价下跌而减产，以期价格在明年上半年回稳。目前NAND Flash减产幅度较大，报价有望先DRAM价止稳，纯NAND Flash相关厂商业绩将会先回温。虽减产将利于报价回温，但在需求偏弱下，预估短期反弹幅度有限。

南亚科今年第三季营收110.22亿元，季减38.87%、年减53.76%，单季DRAM销售量季减21~23%，平均销售单价季减21~23%，汇兑之影响数有利1~3%，毛利率受销售单价降低及销售量减少而下滑至32.64%，不如预期，业外受惠于汇兑利益加上利息收而认列22.42亿元，第三季税后净利26.4亿元，季减59.84%、年减64.92%，EPS达0.85元，表现仍优于预期。

受到战争、通膨、疫情封城影响终端需求，包括PC/NB、手机、消费性产品需求平淡，下游客户持续去化库存，预期今年第四季报价持续下滑，不过预期位元销售量可望较第三季回升，主要因第三季出货量已在谷底，加上大陆逐步解封有利客户拉货需求。法人预估，南亚科今年第四季营收98.31亿元，季减10.8%、年减54.06%，税后净利6.26亿元，季减76.31%、年减90.31%，EPS达0.2元。并预估2022年营收588.3亿元，年减31.28%，税后净利163.91亿元，年减28.27%，EPS为5.29元。

展望2023年，预期今年第四季底至明年第一季下游开始回补库存，搭配供给端降低资本支出产能下降，报价有望在明年第二季止稳走扬，2023年供需状况可望逐步好转，带动南亚科营运逐步好转。南亚科第一代10奈米(1A)制程试产顺利已开始送样，第二代10奈米级(1B)制程产品开发符合进度已导入试产，预期2023年10奈米级制程产品小量贡献。南亚科下修2022年资本支出，由原先的284亿元调降至220亿元，2023年资本支出规划不超过220亿元。法人预估，南亚科2023年营收526.23亿元，年减8.85%，税后净利75.53亿元，年减53.92%，EPS 2.44元。

全球DRAM已是寡占市场，在各大厂均有效控制产能下，预期供给失控机会降低，未来DRAM厂可望长期稳定获利。今年终端市场需求不佳，下游库存调整影响DRAM拉货力道，预期年底可望重启需求，近期部分供应商降低资本支出有助产业制序平衡，加速报价止稳。不过考量到大环境仍面临总经衰退疑虑，需求仍未见回温，短期股价上涨动能有限，因此给予区间操作之投资建议，操作区间40~58元。