《半导体》南亚科：H2记忆体需求回稳 今年新制程进度如常

南亚科董事长吴嘉昭表示，112年度第1季俄乌战争未歇、欧美通膨仍未落底、大陆虽解封但内需亟待回温，全球经济走缓，企业撙节支出，加上美国扩大对大陆科技管制，且部分客户仍在消化库存等因素，DRAM记忆体市况持续低迷。

根据研调单位评估，第1季供应商的存货水位持续增加，纷纷宣布启动减产以控制产出/库存，减少资本投资，延缓制程转进，以因应需求成长的疲弱。

南亚科展望后市，预期第2季起，部分负面因素可望逐步趋缓，加上供应商资本支出调整的因应，使得下半年终端库存有机会正常化，DRAM记忆体市场需求将回稳。在伺服器方面，企业用云端记忆体需求相对稳定，然而短期间，消费用云端业者受景气影响缩减投资。下半年，可望看到长短料问题解除，CPU新平台及DDR5需求增加，有利伺服器及个人电脑市场。

在手机方面，美、韩手机厂出货量能持平，但短期大陆手机厂库存居高；预期第2季起可望逐步好转，下半年整体手机出货有机会恢复正常。PC年出货量则预期持续衰退，但DRAM平均搭载量将成长。

其他消费性电子产品如电视、机上盒等，第1季销售仍疲弱，下半年可望恢复正常。而网通、工控及车用需求则相对健康。

综合上述，今年整体DRAM需求成长率可能低于长期平均值，但DRAM是电子产品智慧化的关键元件，未来各种消费型智慧电子产品的推陈出新，加上5G、AI、智慧城市、智慧工厂、智慧汽车、智慧家庭、智慧穿戴、及AR/VR/MR等，将带动DRAM应用更加多元化，预期今年市场需求将逐季改善，且长期每年应可维持10~20%的位元需求成长。

112年度除持续推展现有既有各产品线业务外，将新增独立自主开发的DDR5及1A制程产线。今年度计划1B制程的第一颗产品完成试产，及1C的测试产品完成制程测试，113年起，逐步于现有厂房导入1B量产及1C试产。新厂营建亦将如期进行，115年起，视市场需求导入制程设备。

10奈米第一世代(1A)新制程产品，已完成前导产品8Gb DDR4客户验证，且于去年第4季开始少量生产，并同步降低30奈米产品的投片。而10奈米第一世代(1A)新产品为本年度的重点，将推广至消费型机上盒及个人电脑应用市场，同时进行下世代DDR5的产品验证及量产准备。使用10奈米第二世代(1B)制程技术的前导产品已在试产中，预期今年年底进入量产。目前规画有5颗产品正在研发中，将陆续导入试产。而使用10奈米第三世代(1C)制程技术的功能测试晶片正在试产，而先导产品的设计同步进行中。

南亚科112年度为因应新厂兴建、1A/1B制程技术量产的机器设备等资本支出上限，资本支出预计为新台币185亿元；其中约半数为生产制造设备类预算。