《半导体》南亚科总座：DRAM需求年稳增15~20％ 决建新厂

南亚科(2408)今天宣布，将斥资新台币3000亿元，投资兴建12吋先进晶圆新厂。总经理李培瑛指出，5G、AI等应用带动DRAM需求每年稳定成长15-20%，供应商也都理性扩产，加上既有厂的空间已不足，因此决定建新厂。

南亚科技规划于新北市泰山南林科技园区兴建一座双层无尘室12吋晶圆厂，将采用南亚科自主研发的10奈米级制程技术生产DRAM晶片，及规划建置EUV极紫外光微影生产技术，月产能约为45,000片晶圆。

此座先进晶圆厂，预估以7年分三阶段投资，计划于2021年底动工，2023年底完工，2024年开始第一阶段量产。南亚科总经理李培瑛表示，12吋新厂2024年将量产第一阶段、月产能约1.5万片，将导入自主研发的10奈米级制程第二世代，后续也将陆续导入第三世代、第四世代，EUV(极紫外光)微影生产技术将从第三世代启动。

南亚科总经理李培瑛表示，5G、AI、工业等应用，对DRAM需求持续提升，随着电子产品智慧化含量增加，DRAM市场需求每年均稳定成长15-20%；供应商也都因应市场需求、相对理性的增加产能，且所有供应商对DRAM产业的依赖度都非常高，过去几年，产业都相对稳健发展；目前3A厂仅剩小小的空间，公司为长远永续发展，必须在制程技术、产品技术、产能规划上持续推进。

南亚科技近年加速10奈米级技术及产品的自主创新研发。总经理李培瑛表示，公司于2020年成功开发出10奈米级DRAM记忆胞技术，并规划于今年导入量产，未来可生产DDR5, LPDDR5及16Gb高容量等DRAM产品，以因应未来5G与智慧世代的发展。新厂的投资计划亦将导入数个10奈米级世代自主技术，坚持DRAM核心事业。