记忆体吹冷风！三巨头下修今年资本支出 南亚科跟进
记忆体吹冷风，各大厂在DRAM的总资本支出约为180亿美元，年减约10%，来到八年来最低点。记忆体三巨头三星、SK-海力士、美光都下修资本支出，台厂则是南亚科最早宣布跟进，要大砍资本支出50%。
研调机构TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查指出，记忆体三巨头都放缓投资计划，包括三星和SK-海力士，市占第三名美光也下修今年资本支出，统计全球DRAM的资本支出总金额，预估将达180亿美元，年减约10%，是八年来最保守。
三星终止平泽厂(Line18)扩产计划，今年投资金额估80亿美元，投资重点放在先进制程(1Ynm)，估位元年成长仅20%，历年最低。
市占第二大的SK-海力士今年的DRAM投资金额也降低到约55亿美元，今年位元成长约21%，稍微高过三星。
第三大记忆体厂美光则宣布下修2019年资本支出至约30亿美元，元成长目标从原先的近20%下修至15%。
三巨大都下修资本支出，台厂南亚科也率先开出第一枪跟进下调脚步，日前于法说会宣布，今年资本支出将较去年大砍50%，将从去年度的210亿元（6亿美元）降至100亿元（3亿美元）。
南亚科总经理李培瑛指出，由于市况「急冻」，甚至无法确定第1季是否落底，但今年会努力挑战「不亏损」。