南亚科、华邦电资本支出 拉高6成

今年以来DRAM市况持续好转，现货价及合约价同步上涨，在预期第二季后DRAM供不应求，产业多头行情将延续到年底或明年上半年，南亚科及华邦电均扩大今年资本支出逾六成，因应新制程研发并增加生产设备扩充产能。法人指出，南亚科第一代10奈米试产顺利，明年将可开始贡献营收；华邦电路竹新12吋厂明年上半年装机，为长期营运增添成长动能。

DRAM供给吃紧推升现货价一路走高，标准型、利基型、伺服器DRAM合约价预期将逐月、逐季调涨，为南亚科及华邦电等国内DRAM厂营运带来成长动能，上半年接单满载，订单能见度已看到下半年。为了因应新制程研发并扩增新产能，南亚科及华邦电将提高今年资本支出，迎接DRAM产业多头行情到来。

南亚科去年资本支出86.7亿元，今年预估将拉高至150亿元，较去年成长73％，其中的60～70％将用于10奈米生产设备，其余则用于厂务工程的营建需求。南亚科第一代10奈米技术研发顺利进行，预期新生产线明年完工后就可开始投产，预期明年将可开始贡献营收，第二代10奈米也已排定并开始投入研发阶段，今年底前将开始进入试产。

南亚科于日前法说会中指出，新冠肺炎疫情带动的远距商机及宅经济需求会延续到今年上半年，在供给吃紧情况下，上半年DRAM合约价将逐季上涨，对营收及获利都会带来正面效益。由于整个DRAM市场位元供给成长幅度有限，预期上半年DRAM市场都将供不应求。

华邦电已启动高雄路竹12吋厂兴建计划，预期新厂将在明年上半年装机及试产，明年下半年应可开始量产DRAM。华邦电去年资本支出约79亿元，今年将提高至127亿元，较去年增加约六成，主要用于增加生产及研发设备。