南亚科 今年资本支出156亿

DRAM大厂南亚科（2408）加快跨入10奈米先进DRAM制程，第一代10奈米1A制程已完成装机并试产8Gb DDR4，第二代10奈米1B制程开发功能性验证晶片已完成试产，加上宣布将在新北市泰山区南林园区兴建新12吋DRAM厂，因此南亚科提高今年资本支出至156亿元，与去年约85亿元相较大幅增加84％。

南亚科第一季合并营收达177.31亿元，税后净利季增逾1.9倍达27.05亿元，较去年同期成长40.3％，每股净利0.88元。由于第二季DRAM市场供不应求，现货价及合约价同步调涨，法人预期南亚科第二季合并营收可望挑战200亿元大关，改写季度营收历史新高。南亚科不评论法人预估财务数字。

南亚科积极布局自主技术开发，第一代10奈米制程去年已完成试产线装机，并配合第一颗8Gb DDR4设计完成及进入试产阶段，今年将继续致力于产品试产及良率提升，8Gb DDR4下半年开始客户送样认证及小量生产，第二颗为下世代DDR5正在设计开发，预计今年下半年开始试产。南亚科第二代10奈米级制程技术开发功能性验证晶片已完成试制，今年也将同步加速技术及产品的开发时程，预计第三季开始试产首颗产品。

南亚科今年仍将持续优化20奈米产品组合，除了增加DDR4 3200Mbps最高规格产品在伺服器及PC OEM厂的认证以提升销售量外，也将加速20奈米低功率产品推广，目标市场包括可携式产品、汽车及工业等应用，可以有效提高产品价值及销售弹性。

南亚科为了满足市场要求及长远发展，已宣布将在南林科技园区中兴建新的厂房以持续导入先进制程及产品，并扩充产能，新厂总月产能预估达4.5万片，第一期工程预计年底动土，目标于2023年底前完工并开始装机量产，总投资金额达新台币3,000亿元。总体来看，南亚科为了因应10奈米制程技术的量产，以及新12吋DRAM厂厂房兴建及一般部门资本支出，预期全年资本支出将以新台币156亿元为上限。